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IRF7103TR IRF7103TRPBF SOP8 MOS场效应管 全新原装进口


 
数据列表IRF7103PbF
产品相片8-SOIC
产品目录绘图IR Hexfet 8-SOIC
标准包装(咨询特价)0
类别分离式半导体产品
家庭FET - 阵列
系列HEXFET®
FET 2 N 沟道(双)
FET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)50V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C130 毫欧 @ 3A, 10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs30nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds290pF @ 25V
功率 - 最大2W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(咨询特价)4", 3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SO
包装带卷 (TR)

                                                      

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